RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Сравнить
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB против Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
36
Около -44% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
14.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
8.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
25
Скорость чтения, Гб/сек
14.8
16.8
Скорость записи, Гб/сек
8.7
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2481
2989
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB Сравнения RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link