RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Сравнить
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.8
12.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
36
Около -16% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.4
8.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
31
Скорость чтения, Гб/сек
14.8
12.5
Скорость записи, Гб/сек
8.7
9.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2481
2361
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB Сравнения RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link