RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Сравнить
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB против AMD R9S48G3206U2S 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Средняя оценка
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
37
Около 24% меньшая задержка
Причины выбрать
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.6
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.9
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
37
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
20.6
Скорость записи, Гб/сек
7.5
13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2014
3518
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB Сравнения RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Kingston MSI16D3LS1KFG/4G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-2GBSQ 2GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link