RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против Kingston KTP9W1-MIE 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,168.2
12.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
60
Около -76% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
34
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
15.7
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
2978
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link