RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Сравнить
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB против G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
45
Около -150% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.9
12
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.3
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
18
Скорость чтения, Гб/сек
12.0
19.9
Скорость записи, Гб/сек
7.8
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1939
3421
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link