RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сравнить
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.4
16
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
31
Около -29% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
10.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
31
24
Скорость чтения, Гб/сек
17.4
16.0
Скорость записи, Гб/сек
10.9
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2735
2925
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Сравнения RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Micron Technology 16HTF25664AY-800E1 2GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link