RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Сравнить
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB против Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.2
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.1
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
28
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
18.2
Скорость записи, Гб/сек
7.5
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2014
3666
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB Сравнения RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link