RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Сравнить
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
34
Около 18% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.4
11.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.5
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
34
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
11.1
Скорость записи, Гб/сек
7.5
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2014
2319
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB Сравнения RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB Сравнения RAM
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link