RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
37
Около -54% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
24
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
16.0
Скорость записи, Гб/сек
8.6
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2395
2925
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link