RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
37
Около -54% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
24
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
16.0
Скорость записи, Гб/сек
8.6
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2395
2925
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link