RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Сравнить
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
28
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.5
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.3
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
27
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
13.5
Скорость записи, Гб/сек
7.5
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2014
2430
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB Сравнения RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingmax Semiconductor FLGG45F-E8K3B 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link