RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Сравнить
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
28
Около -22% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.5
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
23
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
17.5
Скорость записи, Гб/сек
7.5
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2014
3260
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB Сравнения RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
ASint Technology SSY2128M8-JGE3B 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link