RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Сравнить
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.5
6.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
28
Около -22% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.6
12.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
23
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
13.6
Скорость записи, Гб/сек
7.5
6.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2014
2339
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB Сравнения RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Ramaxel Technology RMR5030KQ68F9F1600 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link