RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Сравнить
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB против G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
33
Около 6% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.4
15.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
11.8
10.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
31
33
Скорость чтения, Гб/сек
17.4
15.9
Скорость записи, Гб/сек
10.9
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2735
2601
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Сравнения RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link