G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB против G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB

-->

Средняя оценка

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB

G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Причины выбрать
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

31 48

Около 35% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17.4 12.3

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

14.6 10.9

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 12800

Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

31 48
Скорость чтения, Гб/сек

17.4 12.3
Скорость записи, Гб/сек

10.9 14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 21300

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2735 3061

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

A-DATA Technology DDR4 2400 16GB

A-DATA Technology DDR4 2400 16GB

Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB

Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB

G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB

Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB

Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB

модули RAM

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB

Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB

модули RAM

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB

Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB

модули RAM

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB

Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB

SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB

Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB

Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB

модули RAM

Kingston 9905665-011.A00G 4GB

Kingston 9905665-011.A00G 4GB

AMD R748G2400S2S 8GB

AMD R748G2400S2S 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB

G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB

Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB

модули RAM