RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Сравнить
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
45
Около 9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
10.1
6.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.1
6.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
45
Скорость чтения, Гб/сек
10.1
6.9
Скорость записи, Гб/сек
7.1
6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, TBD2 V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1484
1499
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link