RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Сравнить
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB против G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
31
Около -55% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.7
17.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.0
10.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
31
20
Скорость чтения, Гб/сек
17.4
19.7
Скорость записи, Гб/сек
10.9
16.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2735
3465
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Сравнения RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB Сравнения RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link