RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
32
Около 25% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.9
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3115
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link