RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Сравнить
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.4
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.9
6.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
31
Около -35% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
31
23
Скорость чтения, Гб/сек
17.4
13.6
Скорость записи, Гб/сек
10.9
6.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2735
2339
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Сравнения RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Essencore Limited IMT451U6MFR8Y-EC1 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link