RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Сравнить
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.4
15.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
31
Около -19% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.8
10.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
31
26
Скорость чтения, Гб/сек
17.4
15.6
Скорость записи, Гб/сек
10.9
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2735
2382
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Сравнения RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link