RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Сравнить
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.4
14.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.9
10.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
31
Около -15% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
31
27
Скорость чтения, Гб/сек
17.4
14.8
Скорость записи, Гб/сек
10.9
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2735
2173
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Сравнения RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link