RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Сравнить
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB против Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Средняя оценка
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.4
17
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
31
Около -35% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.7
10.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
31
23
Скорость чтения, Гб/сек
17.4
17.0
Скорость записи, Гб/сек
10.9
14.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2735
3156
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Сравнения RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link