RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Сравнить
G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB против Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB
Средняя оценка
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.3
14.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
39
Около -3% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.6
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
38
Скорость чтения, Гб/сек
14.3
14.2
Скорость записи, Гб/сек
8.4
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2231
2807
G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GR7AFR8C-RD 8GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link