G Skill Intl F3-1600C11-8GSQ 8GB против Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB

-->

Средняя оценка

G Skill Intl F3-1600C11-8GSQ 8GB

G Skill Intl F3-1600C11-8GSQ 8GB

Средняя оценка

Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB

Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

G Skill Intl F3-1600C11-8GSQ 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F3-1600C11-8GSQ 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

29 45

Около 36% меньшая задержка
Выше скорость чтения

12.4 12.1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

9.1 7.9

Среднее значение в тестах

Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB

Причины выбрать
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB

Сообщить об ошибке

Спецификации

Полный список технических характеристик

G Skill Intl F3-1600C11-8GSQ 8GB

Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR3
Задержка в PassMark, нс

29 45
Скорость чтения, Гб/сек

12.4 12.1
Скорость записи, Гб/сек

9.1 7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 12800

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2292 2054

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

G Skill Intl F3-1600C11-8GSQ 8GB

G Skill Intl F3-1600C11-8GSQ 8GB

Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB

Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Kingston 9905678-105.A00G 8GB

Kingston 9905678-105.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB

Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB

Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB

модули RAM

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

модули RAM

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB

G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB

G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB

модули RAM

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB

A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-437.A01LF 4GB

Kingston 9905403-437.A01LF 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB

Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB

Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB

модули RAM

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB

Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB

модули RAM

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB

модули RAM