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G Skill Intl F3-1600C11-8GSQ 8GB
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
Confronto
G Skill Intl F3-1600C11-8GSQ 8GB vs Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-1600C11-8GSQ 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-1600C11-8GSQ 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
45
Intorno 36% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.4
12.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.1
7.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-1600C11-8GSQ 8GB
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
29
45
Velocità di lettura, GB/s
12.4
12.1
Velocità di scrittura, GB/s
9.1
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
12800
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2292
2054
G Skill Intl F3-1600C11-8GSQ 8GB Confronto tra le RAM
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB Confronto tra le RAM
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston 9905428-193.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
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