RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Сравнить
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB против Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Средняя оценка
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
45
Около 22% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.2
16
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.3
10.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
45
Скорость чтения, Гб/сек
16.2
16.0
Скорость записи, Гб/сек
10.7
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2644
2943
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBZL 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link