RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Сравнить
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
37
Около 43% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
9.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.1
7.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
21
37
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
9.5
Скорость записи, Гб/сек
11.1
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2581
1949
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BC1339.D16F 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link