RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Сравнить
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB против Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
42
Около 26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.8
9.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
31
42
Скорость чтения, Гб/сек
16.8
13.3
Скорость записи, Гб/сек
10.8
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2904
2427
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB Сравнения RAM
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Ramaxel Technology RMR1810EC58E8F1333 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Mushkin 996902 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link