G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB против Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB

-->

Средняя оценка

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

Средняя оценка

Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

31 34

Около 9% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16.8 15.7

Среднее значение в тестах

Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB

Причины выбрать
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

13.0 10.8

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 10600

Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

31 34
Скорость чтения, Гб/сек

16.8 15.7
Скорость записи, Гб/сек

10.8 13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 21300

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2904 3052

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB

Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB

Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB

Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB

модули RAM

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB

SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB

Kingston X6TCK6-MIE 32GB

Kingston X6TCK6-MIE 32GB

модули RAM

Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB

AMD R7416G2133U2S 16GB

AMD R7416G2133U2S 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB

Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB

Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB

модули RAM

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB

Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB

модули RAM