RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
30
Около -11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.3
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
27
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
15.6
Скорость записи, Гб/сек
6.8
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
2687
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link