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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
総合得点
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
相違点
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考慮すべき理由
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
30
周辺 -11% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
15.6
10.6
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
11.3
6.8
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
8500
周辺 2 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
30
27
読み出し速度、GB/s
10.6
15.6
書き込み速度、GB/秒
6.8
11.3
メモリ帯域幅、mbps
8500
17000
Other
商品説明
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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