RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Сравнить
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB против Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
40
Около 10% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.4
9.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.0
6.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
40
Скорость чтения, Гб/сек
16.4
9.3
Скорость записи, Гб/сек
11.0
6.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2729
2117
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB Сравнения RAM
Corsair CMZ8GX3M2A2133C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB Сравнения RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link