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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
比较
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
总分
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
总分
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
40
左右 10% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
9.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.0
6.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
40
读取速度,GB/s
16.4
9.3
写入速度,GB/s
11.0
6.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2729
2117
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB RAM的比较
Corsair CMZ8GX3M2A2133C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB RAM的比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
AMD R948G2806U2S 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
InnoDisk Corporation 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
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