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Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
比较
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
总分
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.2
15.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
28
左右 -22% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
23
读取速度,GB/s
18.2
15.4
写入速度,GB/s
14.9
9.0
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3501
2458
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
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