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PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
29
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.7
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.9
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
29
读取速度,GB/s
13.8
18.7
写入速度,GB/s
8.4
15.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3756
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
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Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
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