RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Сравнить
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.4
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.0
9.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
36
Около -24% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.4
13.6
Скорость записи, Гб/сек
11.0
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2729
2419
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB Сравнения RAM
Corsair CMZ8GX3M2A2133C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Corsair CMX8GX3M4A1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link