RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
36
Около 33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.0
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
36
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3192
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link