RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Сравнить
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB против Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Средняя оценка
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.4
14.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
36
Около -6% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.1
11.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
34
Скорость чтения, Гб/сек
16.4
14.9
Скорость записи, Гб/сек
11.0
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2729
2780
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB Сравнения RAM
Corsair CMZ8GX3M2A2133C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link