RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Сравнить
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
37
Около 8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
10.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.3
7.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
37
Скорость чтения, Гб/сек
16.8
10.4
Скорость записи, Гб/сек
11.3
7.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2968
2213
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link