RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Сравнить
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.8
14.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.3
9.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
34
Около -13% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.8
14.5
Скорость записи, Гб/сек
11.3
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2968
2374
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link