G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB против Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB

-->

Средняя оценка

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

Средняя оценка

Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB

Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

34 48

Около 29% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16.8 11

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

11.3 7.7

Среднее значение в тестах

Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB

Причины выбрать
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

19200 10600

Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

34 48
Скорость чтения, Гб/сек

16.8 11.0
Скорость записи, Гб/сек

11.3 7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 19200

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2968 2235

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB

модули RAM

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Maxsun MSD48G32Q3 8GB

Maxsun MSD48G32Q3 8GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB

G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB

PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB

модули RAM

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB

Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB

Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Kingston KF3200C18D4/8G 8GB

Kingston KF3200C18D4/8G 8GB

модули RAM

Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB

Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB

Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB

Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB

модули RAM

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB

Kingston XK2M26-MIE 16GB

Kingston XK2M26-MIE 16GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-515.A00LF 8GB

Kingston 9905403-515.A00LF 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB

Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB

Micron Technology ILG8GS2400A 8GB

Micron Technology ILG8GS2400A 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB

Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB

Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB

модули RAM