RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Сравнить
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB против Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
-->
Средняя оценка
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
37
Около 16% меньшая задержка
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.9
11.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
31
37
Скорость чтения, Гб/сек
11.7
16.9
Скорость записи, Гб/сек
7.2
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1990
3170
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB Сравнения RAM
Strontium EVMT8G1333U86S 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link