RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Comparar
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Pontuação geral
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
37
Por volta de 16% menor latência
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.9
11.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.8
7.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
31
37
Velocidade de leitura, GB/s
11.7
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
13.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1990
3170
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB Comparações de RAM
Strontium EVMT8G1333U86S 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Kingston ACR16D3LU1KFG/4G 4GB
Kingston 99U5402-034.A00LF 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link