RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Comparez
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Note globale
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
37
Autour de 16% latence réduite
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.9
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.8
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
31
37
Vitesse de lecture, GB/s
11.7
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
13.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1990
3170
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB Comparaison des RAM
Strontium EVMT8G1333U86S 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link