RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Сравнить
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB против Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Средняя оценка
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
50
Около 32% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.3
10.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
50
Скорость чтения, Гб/сек
16.8
15.3
Скорость записи, Гб/сек
11.3
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2968
2512
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Сравнения RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Kingston KHX1600C9D3/2GX 2GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link