RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Сравнить
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB против Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
37
Около 24% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.2
15.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.4
11.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
37
Скорость чтения, Гб/сек
18.2
15.2
Скорость записи, Гб/сек
11.5
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3067
2863
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link