RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
30
Около 10% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
30
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
16.7
Скорость записи, Гб/сек
8.4
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
2982
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9G 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link