G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB против Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB

-->

Средняя оценка

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

Средняя оценка

Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

18.2 17.2

Среднее значение в тестах

Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB

Причины выбрать
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

23 28

Около -22% меньшая задержка
Выше скорость записи

13.1 11.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

28 23
Скорость чтения, Гб/сек

18.2 17.2
Скорость записи, Гб/сек

11.5 13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

3067 2989

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB

Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Kingston 9965662-002.A01G 16GB

Kingston 9965662-002.A01G 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB

Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB

модули RAM

Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB

Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB

Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB

Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB

Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB

модули RAM

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB

Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB

модули RAM

Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB

Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB

Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB

Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB

Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB

Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB

модули RAM

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB

Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB

Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB

модули RAM

Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB

Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB

Kingston KF2666C15S4/8G 8GB

Kingston KF2666C15S4/8G 8GB

модули RAM