RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Сравнить
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB против Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
33
Около 15% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.2
16.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.5
11.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
33
Скорость чтения, Гб/сек
18.2
16.2
Скорость записи, Гб/сек
11.5
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3067
2973
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link