RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Сравнить
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB против Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
28
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.6
18.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.2
11.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
26
Скорость чтения, Гб/сек
18.2
18.6
Скорость записи, Гб/сек
11.5
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3067
3756
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB Сравнения RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link