RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Сравнить
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB против Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Средняя оценка
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.2
17.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
28
Около -27% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.5
11.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
22
Скорость чтения, Гб/сек
18.2
17.9
Скорость записи, Гб/сек
11.5
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3067
3411
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link